4月13日，上海棣山科技正式披露2nm高端AIGPU最新研发进展，芯片设计达国际前沿水平，目前进入原型验证关键阶段，预计1-2年后实现流片量产。这款国产2nmAIGPU采用FinFET/GAA混合制程与Chiplet异构集成架构，搭载自研棣山智核DS-Core，集成1700亿颗晶体管，芯片面积约800mm²，采用2.5DCoWoS-L先进封装，实现高密度互连与高效散热双重优化。核心性能方面，芯片F

3月24日，三星在先进晶圆代工领域迎来关键突破，其2纳米工艺良率正式突破60%，凭借极快的爬坡速度追平行业头部水准，彻底扭转此前低良率困境，同时打开低成本量产高性能芯片、抢占全球客户订单的全新格局。据韩媒Hankyung最新报道，三星2nm工艺良率实现跨越式增长，短短两个季度内良率暴涨两倍有余。去年下半年，该工艺良率仅维持在20%左右，晶圆有效产出极低，量产能力远不及预期；如今直接跃升至60%以上

2月10日，行业分析机构SemiAnalysis发布最新报告显示，韩系厂商SK海力士与三星将全面主导下一代高带宽内存（HBM4）市场，而美光（Micron）因技术路线失误，彻底痛失英伟达下一代Rubin芯片的HBM4订单，供应份额恐直接降至0%。报告明确指出，美光在英伟达VeraRubin平台的HBM4供应份额已被“清零”，与之形成鲜明对比的是，市场预计SK海力士将拿下约70%的订单，剩余30%则

中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）顺利成功出束，核心指标直达国际先进水平，标志着我国彻底打破国外在该领域的长期技术封锁与垄断。图源：中国原子能科学研究院作为芯片制造“四大核心装备”之一，离子注入机是半导体制造不可或缺的刚需设备，堪称功率半导体的“精准离子炮”，其核心作用是将氢离子加速至超高能级后精准注入半导体材料深层，决定芯片耐压能力、开关